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高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應(yīng)功率MCM的要求 一，AIN氮化鋁陶瓷多層基板在功率MCM有廣闊的發(fā)展前景電子設(shè)備向輕型、小型化、高密度、高可靠性發(fā)展，多芯片組裝得到快速發(fā)展。多層布線技術(shù)是多芯片的核心技術(shù)之一，隨著組裝密度的提高，IC芯片集成的提高，多芯片組裝的密度也越來越大，功率MCM產(chǎn)生。功率MCM要求多層基板材料具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近等三個重要特征。AIN氮化鋁陶瓷因為具備熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近，力學(xué)強(qiáng)度高、電性能優(yōu)良等綜合型優(yōu)點。是功率MCM首先的基板材料和封裝材料。由于AIN與SI熱膨脹系數(shù)相接近、使得AIN基板與SI產(chǎn)生的熱應(yīng)力小。AIN克服了三氧化二鋁與SI熱膨脹系數(shù)不匹配的缺點，采用AIN做基板具備更好的可靠性。由于AIN熱阻比三氧化二鋁低，所
2021-10-30 http://www.kndpm.com/Article/gaowengongshaodanhua.html
高溫共燒HTCC陶瓷基板經(jīng)過1500°以上高溫環(huán)境燒制，導(dǎo)熱率高、絕緣性好、機(jī)械強(qiáng)度也更強(qiáng)，在三大核心應(yīng)用領(lǐng)域備受青睞。今天小編就來分享一下高溫共燒HTCC陶瓷基板應(yīng)用三大領(lǐng)域。
2021-10-10 http://www.kndpm.com/Article/gaowengongshaoHTCCta.html
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