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陶瓷基板和外層銅的紅外發(fā)射率的關(guān)系

37 2022-07-06
陶瓷基板

                                                                   陶瓷基板和外層銅的紅外發(fā)射率的關(guān)系

陶瓷基板經(jīng)過(guò)金屬化銅后,陶瓷基板和外層銅的紅外發(fā)射率與波長(zhǎng)以及電阻率是量變關(guān)系,今天小編來(lái)分享一下,陶瓷基板金屬銅厚度與紅外線發(fā)射率的關(guān)系。

amb氮化鋁陶瓷基板.jpg

一,陶瓷基板鍍膜厚度和電阻率相關(guān)

首先要了解電阻率的變化關(guān)系,薄膜電阻隨我厚度的變化規(guī)律,薄膜厚度小于一定值時(shí)候,電阻隨厚度減少而迅速增大,大于一定值時(shí),電阻隨薄膜厚度增加,變化不大。不同的金屬厚度值不同,主要取決于能夠形成連續(xù)、均勻薄膜的最小厚度。當(dāng)薄膜厚度為20nm時(shí),電阻率為454ΩNaN.隨著薄膜厚度的增加,電阻率減少;當(dāng)薄膜厚度增加到80nm時(shí),電阻率快速下降到6.5ΩNaN,之后電阻率隨薄膜厚度的增加始終保持在6.3ΩNaN左右。薄膜厚度在0~20nm,薄膜的直流電阻率極大,對(duì)應(yīng)膜生長(zhǎng)的島狀膜階段,此時(shí)出現(xiàn)了新的導(dǎo)電機(jī)制;薄膜厚度20~80nm之間,電阻率極具減小,對(duì)應(yīng)膜生長(zhǎng)的網(wǎng)狀膜生長(zhǎng)階段;薄膜厚度超過(guò)80nm后,電阻率緩緩下降,并出現(xiàn)定值,這表明薄膜已經(jīng)連續(xù)。

薄膜厚度與電阻率的關(guān)系.png 

二,陶瓷基板銅膜的法向發(fā)射率與電阻率之間的關(guān)系

經(jīng)過(guò)測(cè)試證明,在特定的波段,金屬材料的發(fā)射率隨著電阻率的升高而增大,即電阻率越大,發(fā)射率越大,電阻率低的金屬銅膜有降低有較低的紅外發(fā)射率。這是由于金屬電阻率的降低,金屬的電阻率和發(fā)射率都隨著升高。同時(shí)穿透深度也隨之降低,輻射在金屬表面的輻射增加,從而降低其表面的發(fā)射率。

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三,陶瓷基板鍍膜厚度與紅外發(fā)射率之間的關(guān)系

可見(jiàn)陶瓷基板銅層厚度越厚,電阻率越小,外層銅的紅外發(fā)射率數(shù)值就越小,陶瓷基板銅層厚度在0~20um,則電阻率較大,外層銅紅外發(fā)射率數(shù)值也就大;銅層厚度20~80um時(shí),電阻率減小,外層銅紅外發(fā)射率數(shù)值減小。具體膜層厚度,還要考慮材料,以及鍍什么樣的金屬有關(guān)系。

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