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碳化硅覆銅陶瓷基板的特點、用途和應用從二十世界50年代開始，碳化硅納入固體器件的研究開始，碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。如今碳化硅陶瓷基板在很多領域應用廣泛，金小編就來闡述一下碳化硅陶瓷基板的特點、用途和應用。一，碳化硅覆銅陶瓷陶瓷基板的物料特性和特點碳化硅覆銅陶瓷基板本質是一種硅材料，碳化硅有這優(yōu)越的導熱率，決定了其高電流密度的特點。較高的禁帶寬度又決定了碳化硅（SiC）陶瓷線路板的的高擊穿場強和高工作溫度。具體特性如下： 1，高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場強是Si的十倍多，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。2，耐600℃高溫工作SiC在物理特性上擁有高度穩(wěn)定的晶體結構
2022-06-11 http://www.kndpm.com/Article/tanhuaguifutongtaoci.html
碳化硅基和AlN基覆銅板差異特斯拉在 電驅主逆變器采用的是意法半導體供應的650V SiC MOSFET器件，這在2018是風向標實踐。SiC基板有什么優(yōu)勢和AIN基覆銅板有什么差異？一，碳化硅基覆銅板的優(yōu)越性以及與AIN基覆銅板的特性對比碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。碳化硅SiC相對AIN基覆銅板的優(yōu)異特性：如圖對比碳化硅的禁帶寬度大約為 3.2eV，硅的寬帶寬度為 1.12eV，碳化硅的禁帶寬度大約為硅的3倍數(shù)，這說明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料。此外，導熱率為硅的4-5倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。這些特性將使得碳化硅特別適于制造
2022-01-17 http://www.kndpm.com/Article/tanhuaguijiheAlNjifu.html
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