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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷薄膜電路的關(guān)鍵生產(chǎn)工藝

從20世紀(jì)90年代起，電子微組裝進人了高速發(fā)展階段，在軍、民用戶端的產(chǎn)品微型化、小型化的需求推動下，混合集成電路也逐步往輕、薄、小的趨勢發(fā)展，而薄膜電路是電子微組裝中的重要電子元器件組成部分，薄膜電路絕大部分選用氧化鋁、氮化鋁等陶瓷作為襯底基材。

2024-11-01 http://www.kndpm.com/Article/taocibaomodianludegu.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁HTCC基板的特點及應(yīng)用

氮化鋁（AlN）陶瓷具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高強度、高硬度、無毒性、熱膨脹系數(shù)與Si相近等良好的物理性能，且具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和耐腐蝕性能，采用氮化鋁作為介質(zhì)隔離材料制備的AlN多層布線共燒基板，是大功率模塊、大規(guī)模集成電路的理想散熱和封裝材料。

2024-10-23 http://www.kndpm.com/Article/danhualvHTCCjiban.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB與DBA的母工藝——DBC 直接覆銅陶瓷基板工藝

隨著電子設(shè)備的不斷進步，芯片集成度的提升和電路設(shè)計的緊湊，使得單位面積的功耗顯著增加，導(dǎo)致熱量積累。這不僅影響設(shè)備性能，還可能導(dǎo)致組件故障。在這種背景下，直接覆銅（DBC）陶瓷基板憑借出色的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，成為重要的電子封裝材料，廣泛應(yīng)用于功率模塊和集成電力電子模塊。

2024-10-16 http://www.kndpm.com/Article/AMByuDBAdemugongyiDB.html
[行業(yè)動態(tài)]Bosch Research通過3D打印技術(shù)制造陶瓷覆銅基板

電力電子器件采用雙面覆銅陶瓷基板，傳統(tǒng)制造和處理功能結(jié)構(gòu)的方法復(fù)雜且昂貴。尤其是由于功能結(jié)構(gòu)較小，使用貼裝工藝來制造和處理這些結(jié)構(gòu)的成本高昂且過程復(fù)雜。此外，功能結(jié)構(gòu)與基板的連接需要額外的制造和連接工藝，例如燒結(jié)，這些工藝可能在功能結(jié)構(gòu)和基板之間產(chǎn)生熱阻。

2024-08-13 http://www.kndpm.com/Article/BoschResearchtongguo.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC、AMB、DPC 覆銅陶瓷基板的工藝流程

覆銅陶瓷基板是通過特殊工藝在陶瓷基片單/雙表面結(jié)合銅材的基板，在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛，重要性僅次于芯片，是高功率高散熱產(chǎn)品的核心封裝材料之一。

2024-06-05 http://www.kndpm.com/Article/DBCAMBDPCfutongtaoci.html
[常見問題]pcb線路板的動態(tài)翹曲分析明細！

PCB線路板的動態(tài)翹曲分析是一個涉及到多種因素的綜合過程，包括但不限于材料特性、制造過程、環(huán)境條件以及機械載荷等。

2024-05-22 http://www.kndpm.com/Article/pcbxianlubandedongta.html
[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、電力機車?yán)锏碾姍C驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟的核“芯”。

2024-03-18 http://www.kndpm.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應(yīng)用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應(yīng)用領(lǐng)域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://www.kndpm.com/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC 和 AMB 覆銅陶瓷基板有何不同？

近年來，隨著新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體功率模塊得到了廣泛的應(yīng)用。功率模塊一般應(yīng)用在大功率大電壓環(huán)境中，相較于通常的電子應(yīng)用領(lǐng)域，其對載板的電流載流能力、絕緣耐壓能力、以及高效散熱能力有著更高的要求。而覆銅陶瓷基板的高載流、高耐壓、高散熱的特點，恰好滿足了功率模塊的應(yīng)用需求。

2024-02-21 http://www.kndpm.com/Article/DBCheAMBfutongtaocij.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板應(yīng)用介紹

在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預(yù)期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復(fù)合增長率為7.5%左右。預(yù)計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復(fù)合增長率為5.5%左右。

2024-01-12 http://www.kndpm.com/Article/AMBtaocijibanyingyon.html
[行業(yè)動態(tài)]6種常見的陶瓷與金屬的連接方法，誰能稱霸半導(dǎo)體封裝市場？

陶瓷與金屬封接，最大難點是陶瓷和金屬的熱膨脹系數(shù)相差較大，使得連接完成后的封接界面處會產(chǎn)生較大殘余應(yīng)力，這不僅會降低接頭強度，也會影響金屬對陶瓷表面的潤濕效果。

2024-01-10 http://www.kndpm.com/Article/6zhongchangjiandetao.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://www.kndpm.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]DBA陶瓷基板與DBC陶瓷基板的區(qū)別

隨著科技的不斷發(fā)展，電子行業(yè)中的陶瓷基板也經(jīng)歷了不斷的創(chuàng)新和改進。其中，DBA陶瓷基板和DBC陶瓷基板是兩種比較常見的陶瓷基板。

2023-11-29 http://www.kndpm.com/Article/DBADBCta.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://www.kndpm.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術(shù)

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢，陶瓷基板制造五大工藝知識，以及工藝特點進行分析，行業(yè)展望，最后我們學(xué)習(xí)一下華科大對陶瓷基板科研知識案例分享

2023-11-06 http://www.kndpm.com/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動態(tài)]全球陶瓷基板市場規(guī)模穩(wěn)步增長！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-11-03 http://www.kndpm.com/Article/quanqiutaocijibanshi.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應(yīng)用發(fā)展

目前，國內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結(jié)成型之后，需對其表面實施金屬化，然后通過影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://www.kndpm.com/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。包括我們前面聊到的無焊料，無鍵合線等互連技術(shù)趨勢外，絕緣基板的選擇也成為經(jīng)常討論的話題。

2023-10-23 http://www.kndpm.com/Article/Si3N4DBCheAMBtaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]以后都不要再問HTCC，LTCC，DBC，DPC，AMB都是什么了！

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-20 http://www.kndpm.com/Article/dbctaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝升，成為我國行業(yè)突破的關(guān)鍵！

在目前的陶瓷基板行業(yè)，日本占據(jù)全球絕大市場份額。在關(guān)鍵材料方面，氮化鋁、氮化硅粉體仍依賴進口，大部分市場份額被日本企業(yè)占據(jù)。此外，用于金屬化工藝的銅箔，國內(nèi)尚無企業(yè)能夠生產(chǎn)替代，完全依賴進口。

2023-10-13 http://www.kndpm.com/Article/taocijibangongyitich.html

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[行業(yè)動態(tài)]DBC 和 AMB 覆銅陶瓷基板有何不同？

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[行業(yè)動態(tài)]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

[行業(yè)動態(tài)]以后都不要再問HTCC，LTCC，DBC，DPC，AMB都是什么了！

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝升，成為我國行業(yè)突破的關(guān)鍵！