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[行業(yè)動態(tài)]盤點(diǎn) DPC 陶瓷基板的應(yīng)用熱點(diǎn)

DPC 是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。DPC 基板具有圖形精度高、可垂直互連、生產(chǎn)成本低等技術(shù)優(yōu)勢。

2024-11-11 http://www.kndpm.com/Article/pandianDPCtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]LTCC基板疊層后背印效果如何？

在布線層數(shù)較多的低溫共燒陶瓷基板中，通常會存在單層瓷片的雙面均需要印刷的情況。為了解決這種雙面大面積印刷帶來的變形、對位偏移、開裂等問題，采用層壓后再二次印刷背面金屬層的方法，研究了二次印刷、二次等靜壓工藝對成型后瓷體和金屬層的影響，通過膜層厚度、收縮率、翹曲度、膜層附著力、可焊性等指標(biāo)對此工藝進(jìn)行了評價(jià)。結(jié)果顯示，改進(jìn)后的二次印刷成型工藝能有效提高此類具有單層雙面布圖的低溫共燒陶瓷基板的成品率，制備的成品電路基板具有優(yōu)異的可裝配性和可靠性。

2024-02-19 http://www.kndpm.com/Article/LTCCjibandiecenghoub.html
[常見問題]激光加工陶瓷基板孔有哪些工藝難點(diǎn)？

目前，在電子封裝領(lǐng)域，陶瓷基板是常用的一種電子封裝基片材料，與金屬基片和樹脂基片相比，其主要優(yōu)點(diǎn)在于：絕緣性能好，可靠性高；介電系數(shù)較小，高頻特性好；熱膨脹系數(shù)小，熱失配率低；熱導(dǎo)率高；氣密性好，化學(xué)性能穩(wěn)定；耐蝕性好，不易產(chǎn)生微裂等現(xiàn)象。因此，陶瓷基板已成為成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。但由于陶瓷材料的硬脆特性，傳統(tǒng)機(jī)械加工方法費(fèi)時(shí)費(fèi)力，且易對基板造成損傷，在眾多新型特種加工技術(shù)中，激光加工是一種無接觸加工方法，無刀具磨損，具有高精度及高靈活性，是硬脆材料加工的首選方法。

2024-01-17 http://www.kndpm.com/Article/jiguangjiagongtaocij.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板常用導(dǎo)電材料的種類及特性

陶瓷材料因其密度較小，熱導(dǎo)率較高，膨脹系數(shù)匹配，是一種綜合性能較好的封裝材料。由于陶瓷封裝對可靠性、氣密性、高頻傳輸性等性能需求，勢必要用到金屬導(dǎo)體來提升陶瓷共燒技術(shù)。又因金屬材料與陶瓷材料性質(zhì)差異大，在共燒陶瓷技術(shù)中往往需要使用作為燒結(jié)助劑的導(dǎo)體漿料來促進(jìn)金屬與陶瓷的連接。

2023-12-29 http://www.kndpm.com/Article/taocijibanchangyongd.html
[行業(yè)動態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術(shù)

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢，陶瓷基板制造五大工藝知識，以及工藝特點(diǎn)進(jìn)行分析，行業(yè)展望，最后我們學(xué)習(xí)一下華科大對陶瓷基板科研知識案例分享

2023-11-06 http://www.kndpm.com/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動態(tài)]深入了解陶瓷基板金屬化，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

在大功率電子器件使用中為實(shí)現(xiàn)芯片與電子元件之間的互聯(lián)，陶瓷作為封裝基板材料，需對其表面進(jìn)行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求：優(yōu)良的密封性，金屬導(dǎo)電層的方阻和電阻率小，同時(shí)與陶瓷基板具有較強(qiáng)的附著力，陶瓷經(jīng)金屬化后仍需具備高的熱導(dǎo)率。

2023-11-01 http://www.kndpm.com/Article/shenruliaojietaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]高溫共燒陶瓷（HTCC）技術(shù)的熱點(diǎn)應(yīng)用

高溫共燒陶瓷（HTCC，High Temperature co-fired Ceramic）是將陶瓷粉與溶劑、粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑等添加劑混合成漿料，通過流延成型技術(shù)得到生瓷帶，將其裁切為固定大小膜片后進(jìn)行激光打孔，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將鎢、鉬、鉬-錳等金屬對各層進(jìn)行填孔和線路設(shè)計(jì)，再將生坯疊層、壓合、切割，在1500~1850°C的濕 N2/H2 氣氛下進(jìn)行燒結(jié)，最終實(shí)現(xiàn)不同層之間垂直互連，完成金屬與陶瓷連接的一種方法。HTCC技術(shù)的產(chǎn)品工藝流程具有多樣化的特點(diǎn)，根據(jù)下游不同種類產(chǎn)品的需求，工藝會存在一定差異。目前HTCC技術(shù)廣泛應(yīng)用在陶瓷封裝、發(fā)熱體、傳感器等領(lǐng)域。

2023-10-30 http://www.kndpm.com/Article/gaowengongshaotaociH.html
[行業(yè)動態(tài)]金錫預(yù)成型焊片在陶瓷封裝外殼中的應(yīng)用

預(yù)成型焊片是一種表面平整的焊料薄片，有Au80Sn20、Au88Ge12、Au96.85Si3.15等，常用于陶瓷、可伐合金、芯片、IC封裝、金屬管殼等之間的焊接，廣泛應(yīng)用于包括可靠封裝連接、金屬外殼或陶瓷外殼氣密封裝工藝的焊接等領(lǐng)域。合金焊料熔封工藝中使用最廣泛的是Au80Sn20合金，能適應(yīng)高真空、高強(qiáng)度、耐腐蝕高要求。

2023-10-18 http://www.kndpm.com/Article/jinxiyuchengxinghanp.html
[行業(yè)動態(tài)]高純氧化鋁陶瓷基板解析

氧化鋁（Al2O3）陶瓷是目前應(yīng)用最廣泛的陶瓷封裝基片材料，具有強(qiáng)度高、耐高溫、耐熱沖擊性和電絕緣性及耐腐蝕性能力強(qiáng)等優(yōu)良性能，且廉價(jià)易得。常見的氧化鋁基板是白色，用作LED基板、高頻電路基板等。但有些用途需要避免氧化鋁基板反射光線，黑色氧化鋁的產(chǎn)品因此生成。

2023-09-06 http://www.kndpm.com/Article/gaochunyanghualvtaoc.html
[行業(yè)動態(tài)]氧化鋁陶瓷封裝外殼化學(xué)鍍鎳工藝優(yōu)化

針對氧化鋁陶瓷封裝外殼在化學(xué)鍍鎳過程中出現(xiàn)的漏鍍、鎳點(diǎn)以及異色的問題，采用控制變量法研究了除油液、滾筒轉(zhuǎn)速、退火溫度對鍍層外觀的影響，采用體視顯微鏡、掃描電鏡、能譜儀等觀察了鍍層的宏觀形貌和微觀結(jié) 構(gòu)。結(jié)果表明：采用80 g/L NaOH溶液作為除油液，在60 ℃下超聲清洗10 min，自來水沖洗3遍，去離子水超聲清洗 5 min的條件下，可改善漏鍍現(xiàn)象。通過對來件進(jìn)行篩選和固定滾筒轉(zhuǎn)速為5 r/min，可以減少鎳點(diǎn)現(xiàn)象的產(chǎn)生。當(dāng) 退火溫度為800 ℃時(shí)，異色現(xiàn)象可得到有效解決。

2023-09-01 http://www.kndpm.com/Article/yanghualvtaocifengzh.html
[行業(yè)動態(tài)]氧化鋁陶瓷基板

氧化鋁（Al2O3）陶瓷是目前應(yīng)用最廣泛的陶瓷封裝基片材料，具有強(qiáng)度高、耐高溫、耐熱沖擊性和電絕緣性及耐腐蝕性能力強(qiáng)等優(yōu)良性能，且廉價(jià)易得。常見的氧化鋁基板是白色，用作LED基板、高頻電路基板等。但有些用途需要避免氧化鋁基板反射光線，黑色氧化鋁的產(chǎn)品因此生成。黑色的氧化鋁基板有其獨(dú)特的特點(diǎn)和應(yīng)用，需求也日益增加。

2023-08-10 http://www.kndpm.com/Article/yhualvtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊上。IGBT散熱對于功率模塊的性能是非常重要的，目前國內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點(diǎn)。

2023-08-02 http://www.kndpm.com/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://www.kndpm.com/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動態(tài)]低溫共燒陶瓷（ LTCC）封裝

低溫共燒陶瓷（ Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC ）封裝能將不同種類的芯片等元器件組裝集成于同一封裝體內(nèi)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的某些功能，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段?？偨Y(jié)了 LTCC 基板所采用的封裝方式，闡述了 LTCC 基板的金屬外殼封裝、針柵陣列（ Pin Grid Array, PGA）封裝、焊球陣列（ Ball Grid Array,BGA ）封裝、穿墻無引腳封裝、四面引腳扁平（ Quad Flat Package, QFP ）封裝、無引腳片式載體（ Leadless Chip Carrier, LCC ）封裝和三維多芯片模塊（ Three-Dimensional Multichip Module, 3D-MCM ）封裝技術(shù)的特點(diǎn)及研究現(xiàn)狀。分析了LTCC 基板不同類型封裝中影響封裝氣密性和可靠性的一些

2023-07-05 http://www.kndpm.com/Article/diwengongshaotaociLT.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷封裝將成為主流電子封裝技術(shù)

電子元件長期在高溫、高濕等環(huán)境下運(yùn)轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其性能惡化，甚至可能會被破壞。因而，需要采用有效的封裝方式，不斷提高封裝材料的性能，才能使得電子元件在外界嚴(yán)苛的使用環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性。

2023-06-14 http://www.kndpm.com/Article/taocifengzhuangjiang.html
[行業(yè)動態(tài)]十年磨一劍，突破陶瓷基板“卡脖子”技術(shù)

電子封裝，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的核心一環(huán)。經(jīng)過封裝之后，芯片如同歷經(jīng)洗禮，變成了人們熟知的各種電子器件。說起封裝技術(shù)，就不能不提到美國國家工程院院士、中國工程院外籍院士、香港科學(xué)院創(chuàng)院院士汪正平。早在20世紀(jì)七十年代，汪正平院士創(chuàng)新性采用聚合物材料封裝集成電路（IC）芯片（簡稱“塑封技術(shù)”），克服了傳統(tǒng)陶瓷和金屬封裝重量大、工藝復(fù)雜、成本高等問題，被Intel、IBM等全面推廣，目前塑封技術(shù)占全球IC封裝市場95%以上。由于其在封裝技術(shù)研發(fā)方面的卓越貢獻(xiàn)，汪正平院士多次榮獲電子封裝領(lǐng)域的榮譽(yù)獎項(xiàng)，被譽(yù)為“現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝之父”。金瑞欣特種電路技術(shù)需要突破的，是電子封裝用陶瓷基板這一賽道！突破“卡脖子”在芯片領(lǐng)域，“摩爾定律”一直如神奇般存在。這一定律是Intel創(chuàng)始人之一戈登·摩爾的經(jīng)驗(yàn)之談，其核心內(nèi)容為：集成電路上可

2023-03-24 http://www.kndpm.com/Article/shinianmoyijiantupot.html
[行業(yè)動態(tài)]導(dǎo)熱絕緣材料在碳化硅模塊封裝中的應(yīng)用

隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中與電力電子器件相匹配的封裝材料，無論是起支撐作用的電路板（金屬絕緣基板）、起電氣連接作用的互聯(lián)材料（燒結(jié)銀焊接）、起絕緣和環(huán)境保護(hù)作用的包封材料（環(huán)氧灌封料）還是起散熱作用的界面熱導(dǎo)材料，都對電力電子器件的電氣性能、抗電磁干擾特性、熱特性、器件的效率及可靠性等影響顯著，是電力電子器件領(lǐng)域除芯片本身之外的另一核心部分。典型的IGBT電力電子模塊的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示，其中需要具備絕緣功能的材料主要包括：電氣隔離和支撐芯片用的電路板材料、隔絕空氣和保護(hù)芯片用的絕緣灌封材料、外殼材料以及填充熱沉和散熱底板間隙用的界面熱導(dǎo)材料。本文基于當(dāng)前Si基和下一代

2023-03-03 http://www.kndpm.com/Article/daorejueyuancailiaoz.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB基板：新能源汽車SiC功率模塊的首選工藝

Si3N4-AMB陶瓷基板熱導(dǎo)率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時(shí)AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；

2023-02-27 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
[行業(yè)動態(tài)]多層陶瓷封裝外殼制備技術(shù)

本文介紹了自制銅漿的組成和特點(diǎn)，探討了銅漿在多層陶瓷封裝外殼制備技術(shù)中的適用性。通過對銅漿微觀形貌觀察，方阻、剪切強(qiáng)度的測試，分析并討論了玻璃相添加量、燒結(jié)溫度、排膠溫度、排膠時(shí)間對于銅漿性能的影響

2023-02-13 http://www.kndpm.com/Article/duocengtaocifengzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]芯片級封裝用DPC陶瓷基板結(jié)構(gòu)圖

基于薄膜電路工藝，通過磁控濺射實(shí)現(xiàn)陶瓷表面金屬化，通過電鍍形成的銅層和金層的厚度在1um~1mm內(nèi)任意定制。最小線距達(dá)到0.05mm...

2023-02-03 http://www.kndpm.com/Article/xinpianjifengzhuangy.html