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[行業(yè)動態(tài)]LED陶瓷基板散熱和市場前景

LED陶瓷基板散熱和市場前景LED陶瓷基板作為散熱基板市場需求越來越大，逐漸從原來的鋁基板、銅基板、FR4被陶瓷基板替代，從而實現(xiàn)更好的散熱性能。今天小編就主要講述LED陶瓷基板散熱以及市場前景。一，什么是led陶瓷基板 LED陶瓷基板,也叫LED陶瓷支架，是用氧化鋁、氮化鋁陶瓷基板做成的，支撐撐底座的片狀材料，多用于LED封裝。二，LED陶瓷基板的種類有哪些？1

2021-06-30 http://www.kndpm.com/Article/LEDtaocijibansanrehe.html
[常見問題]氮化鋁陶瓷基板——LED的散熱“福音”

氮化鋁陶瓷基板——LED的散熱“福音”國內(nèi)LED不斷向著高功率、高密度和高校發(fā)展，對LED散熱提出了更高的要求。功率越大散熱越大，解決LED散熱的問題就是關(guān)鍵點。氮化鋁陶瓷基板給LED散熱帶來了“福音”，充分解決了LED大功率散熱的難題。一，LED散熱基板原理和要求自2017年以來，LED突飛猛進(jìn)，功率越來越大，尋求優(yōu)越的性能材料成為LED散熱問題的關(guān)鍵所在。從技術(shù)的角度來說，一般LED發(fā)光效率和使用壽命會隨結(jié)溫的增加而下降，當(dāng)結(jié)溫達(dá)到125℃以上時，LED甚至?xí)霈F(xiàn)失效。為使LED結(jié)溫保持在較低溫度下，必須采用高熱導(dǎo)率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，以降低LED總體的封裝熱阻。1、過去SI等金屬材料各項性能對比現(xiàn)階段常用基板材料有

2021-06-21 http://www.kndpm.com/Article/danhualvtaocijibanLED.html
[常見問題]大電流領(lǐng)域氮化鋁陶瓷基板替代厚銅板的兩個理由

大電流領(lǐng)域氮化鋁陶瓷基板替代厚銅板的兩個理由在很多大電流、大電壓領(lǐng)域需要極好的散熱性能，一般企業(yè)選擇采用厚銅板，通常銅厚做到8盎司或者十幾盎司，采用厚銅板主要是因為銅的導(dǎo)熱和通電能力強(qiáng)。自從有了陶瓷基板后

2021-05-11 http://www.kndpm.com/Article/dadianliulingyudanhu.html
[常見問題]覆銅陶瓷基板的特性、工藝、流程、應(yīng)用

覆銅陶瓷基板的特性、工藝、流程、應(yīng)用覆銅陶瓷基板是在陶瓷基板上面做金屬化銅來實現(xiàn)更好的電器性能和導(dǎo)熱性能，在很多的領(lǐng)域也被當(dāng)作絕緣導(dǎo)熱板使用，今天小編就來分享一些覆銅陶瓷基板的特性、工藝、流程、應(yīng)用。一，覆銅陶瓷基板的特征和優(yōu)劣勢1，氮化鋁陶瓷板覆銅厚度和覆銅陶瓷基板雙面覆銅厚度無論是氮化鋁陶瓷板覆銅還是氧化鋁陶瓷板覆銅不外乎就是在陶瓷基板單面或者雙面做金屬化銅，厚度常規(guī)是35微米，一般500微米以下都可以做的，特殊的需要做評估，是否需要做多厚

2021-04-20 http://www.kndpm.com/Article/futongtaocijibandete.html
[常見問題]陶瓷pcb價格陶瓷pcb多少錢一平米?

陶瓷pcb是目前市場上非?；馃岬漠a(chǎn)品，在很多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用有很強(qiáng)的散熱能力，加上良好的絕緣性、導(dǎo)電性等性能備受親睞，在LED等領(lǐng)域之前用鋁基板、銅基板、厚銅板的都采用陶瓷PCB替代。相對于普通的PCB陶瓷基板pcb導(dǎo)熱能力要強(qiáng)很多，普通PCB的散熱能力只有1W~3W,而陶瓷pcb散熱15W~170W,那么陶瓷pcb價格怎么算的，陶瓷pcb多少錢一平米？

2021-04-17 http://www.kndpm.com/Article/taocipcbjiagetaocipc.html
[常見問題]陶瓷電路板生產(chǎn)工藝流程是這樣的

本文闡述薄膜工藝、厚膜工藝不同的生產(chǎn)工藝流程以及陶瓷電路板生產(chǎn)工藝流程的重要技術(shù)環(huán)節(jié)。

2021-04-05 http://www.kndpm.com/Article/taocidianlubanshengcp.html
[常見問題]氮化鋁陶瓷直接覆銅基板結(jié)合強(qiáng)度受銅片氧化層厚度而變化

優(yōu)良的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能是氮化鋁陶瓷直接覆銅基板的核心優(yōu)勢，在大功率、高密度封裝領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。但是氮化鋁陶瓷直接覆銅基板的金屬結(jié)合力是非常重要的關(guān)鍵，這個直接影響到后面的焊接和元器件插件。那么氮化鋁陶瓷直接覆銅基板在不同的溫度和時長情況下因為銅片氧化層的變化而變化，以下是具體的幾個方面：直接覆銅法制備氮化鋁陶瓷覆銅基板的工藝條件下，采用分別在無氧銅片和AlN基片上進(jìn)行預(yù)氧化的方法,從而形成相應(yīng)的Cu2O和Al2O3氧化層,然后通過化學(xué)反應(yīng)形成封接良好的界面,制備出AlN陶瓷直接敷銅基板。不同銅片高溫和時間長度下，氮化鋁陶瓷覆銅基板結(jié)合力情況如下：在900~1050℃之間,當(dāng)氧氣體積分?jǐn)?shù)為2%~10%時,銅片表面可生成純的Cu2O層。Cu2O層厚度隨溫度和氧含量的增加而逐漸增加,達(dá)到一定厚度后產(chǎn)生剝落。氧化

2021-04-01 http://www.kndpm.com/Article/danhualvtaocizhijief.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷散熱基板是大功率封裝器件的首選散熱基板

氮化鋁陶瓷散熱基板是大功率封裝器件的首選散熱基板氮化鋁陶瓷散熱基板是大功率器件、LED大功率封裝的散熱基板，這樣是基于氮化鋁陶瓷基板具備很高的導(dǎo)熱能力，導(dǎo)熱率可達(dá)170W以上，是氧化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱的5倍以上,是普通PCB散熱的100倍，遠(yuǎn)遠(yuǎn)的超越銅基板、鋁基板以及PCB的散熱能力。氮化鋁陶瓷散熱基板經(jīng)過氮化鋁陶瓷基板金屬化后導(dǎo)熱能力

2021-04-01 http://www.kndpm.com/Article/danhualvtaocisanreji.html
[常見問題]直接覆銅陶瓷板界面及其高溫行為研究

直接覆銅陶瓷板界面及其高溫行為研究本研究利用大電流高密度等離子體濺射沉積技術(shù),在Al_2O_3和AlN陶瓷板的表面沉積不同的過渡層和銅層,經(jīng)電鍍將真空濺射銅層進(jìn)行加厚,實現(xiàn)陶瓷基板金屬化。通過界面結(jié)合強(qiáng)度測試,分析了不同過渡層對界面結(jié)合強(qiáng)度的影響;利用SEM、DTA、XRD等研究了直接覆銅陶瓷板截面形貌及在高溫退火后的界面行為。結(jié)果表明,與無過渡層和AlO_x過渡層相比Cr、Ti可大幅度提高界面粘附強(qiáng)度,在550℃退火后Cr和Ti在界面處和銅層發(fā)生合金化作用,甚至生成金屬間化合物,Cr和Ti元素與Al_2O_3和AlN基體以及銅層具有強(qiáng)的相互作用,過渡層的引入可大幅度提高覆銅層和陶瓷的結(jié)合強(qiáng)度,從而有效提高陶瓷覆銅板的使用可靠性。直接鍍銅陶瓷基板是散熱基板的一個種類,該基板在功率型發(fā)射器

2021-03-23 http://www.kndpm.com/Article/zhijiefutongtaociban.html
[常見問題]AMB陶瓷基板的優(yōu)勢、可靠性及其應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對封裝基板性能提升起到了很大的促進(jìn)作用。陶瓷基板也是陶瓷電路板在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用主要是緣于陶瓷基板具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點。陶瓷基板工藝有很多種，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，還有目前備受關(guān)注的AMB（Active Metal Bonding）技術(shù)，即活性金屬釬焊技術(shù)。一，什么是活性金屬釬焊技術(shù)？AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應(yīng)，從而實現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板，一般是這樣制作的：首先通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http://www.kndpm.com/Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常見問題]芯片陶瓷基板和有機(jī)基板的區(qū)別

芯片用基材有的是fr-4的，有的是鋁基板，有的是銅基板，鋁基板銅基板以及FR-4基板都屬于有機(jī)基板，采用氧化鋁陶瓷和氮化鋁陶瓷的基板做的芯片一般又稱為無機(jī)基板，今天小編就來分享一下芯片陶瓷基板和有機(jī)基板的區(qū)別。陶瓷基板的優(yōu)缺點;陶瓷基板采用的一般是三氧化二鋁陶瓷或者AIN陶瓷晶體，散熱性好

2021-01-13 http://www.kndpm.com/Article/xinpiantaocijibanhey.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板的覆銅工藝--AMB

AMB氮化硅陶瓷覆銅基板表面都是有一層銅的，同時讓氮化硅陶瓷基板有了更好的電氣性能。氮化硅陶瓷基板具有更好的可靠性和穩(wěn)定性，那么氮化硅陶瓷覆銅基板是采用AMB覆銅工藝具體是怎么制作的呢？有什么優(yōu)勢？1，氮化硅陶瓷覆銅基板制作工藝AMB具備哪些優(yōu)勢?氮化硅陶瓷覆銅AMB制作工藝的陶瓷基板又稱為AMB氮化硅陶瓷基板，目前采用AMB工藝的是氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，采用AMB工藝即為活性釬焊技術(shù)。活性金屬釬焊（Active Metal Bonding，AMB）覆銅技術(shù)，顧名思義，依靠活性金屬釬料實現(xiàn)氮化鋁與無氧銅的高溫冶金結(jié)合，以結(jié)合強(qiáng)度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點而備受關(guān)注，應(yīng)用前景極為廣闊。

2020-12-19 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常見問題]氮化硅陶瓷覆銅基板的可靠性決定了它的市場定位

氮化硅具有高熱導(dǎo)率,低熱阻,高抗彎強(qiáng)度,高斷裂韌性,耐高溫,耐磨損,耐腐蝕等一系列優(yōu)異的物理特性,因此,其正逐漸成為寬禁帶大功率半導(dǎo)體器件首選的基板材料.氮化硅陶瓷覆銅基板優(yōu)異的高可靠性使其成為高鐵,電動汽車等領(lǐng)域功率模塊最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆銅陶瓷基板的可靠性和市場地位。 1，氮化硅陶瓷覆銅基板的制作工藝高性能氮化硅陶瓷粉體的特性對氮化硅陶瓷覆銅基板的成型，燒結(jié)以及最終的性能有很大的影響作用。目前氮化硅陶瓷覆銅基板只有日本廠商具備量產(chǎn)能力,國內(nèi)進(jìn)口困難,阻礙了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展.采用氣壓燒結(jié)實現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷基板的制備,并通過活性金屬釬焊工藝獲得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocifutong.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板的新的需求和新增應(yīng)用領(lǐng)域

氮化硅陶瓷基板的市場應(yīng)用增加，氮化硅陶瓷基板在市場的需求應(yīng)用在半導(dǎo)體尤其是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，以及航天航空等方面應(yīng)用增加，使得氮化硅陶瓷基板用途也越來越多，今天小編主要講述一下氮化硅陶

2020-12-14 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板特點、優(yōu)勢、分類和應(yīng)用

氮化硅陶瓷基板隨著軌道交通以及第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，氮化硅陶瓷基板的市場也逐漸在增加，那么氮化硅陶瓷基板的特點有哪些？有什么分類，主要作用以及市場應(yīng)用情況是怎么樣的呢？今天小編為您娓娓道來：

2020-12-12 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijibantd.html
[常見問題]陶瓷基板和有機(jī)基板的區(qū)別是這些！

在很多對散熱要求比較高的領(lǐng)域，陶瓷基板總是比鋁基板和有機(jī)基板更受歡迎，陶瓷基板的散熱性能是鋁基板和有機(jī)基板不能替代的。一，陶瓷基板與鋁基板的區(qū)別1、與傳統(tǒng)鋁基板相比，陶瓷基板的反射率較高，有助于提高光效。2，更高的熱導(dǎo)率：傳統(tǒng)的鋁基電路板MCPCB的熱導(dǎo)率是1～2W/mk，銅本身的導(dǎo)熱率是383.8W/m.K但是絕緣層的導(dǎo)熱率只有1.0W/m.K.左右，好一點的能達(dá)到1.8W/m.K。氧化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率：15～35 W/m.k，氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率：170～230 W/m.k，銅基板的導(dǎo)熱率為2W/(m*K)，；鋁/銅基電路板：本身鋁熱導(dǎo)率高，但是鋁/銅基電路板上有絕緣層，導(dǎo)致整塊板導(dǎo)熱率下降。我們可以用陶瓷基代替絕緣層，以鋁/銅為基板，以陶瓷基為絕緣層。3，更匹配的熱膨脹系數(shù)：正常開燈時溫度高達(dá)80℃~90℃，

2020-12-05 http://www.kndpm.com/Article/taocijibanhelvjibany.html
[常見問題]國內(nèi)做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家

氮化硅陶瓷覆銅基板是在氮化硅陶瓷基片的基材上通過技術(shù)手段把銅箔覆蓋到表面，實現(xiàn)金屬化后讓氮化硅陶瓷基板具備更好的導(dǎo)熱性能和電器性能。那么國內(nèi)做的氮化硅的陶瓷基板覆銅的廠家有哪些呢？什么樣的廠家生產(chǎn)的氮化硅陶瓷基板更好？氮化硅陶瓷基板的特性氮化硅陶瓷具有2.4倍于氧化鋁和氮化鋁的抗彎強(qiáng)度，因此具有比氮化鋁和氧化鋁高的多的可靠性，尤其是高強(qiáng)度可以實現(xiàn)其與厚銅基板的覆接，大幅提高基板的熱性能。相對于氮化鋁和氧化鋁，氮化硅陶瓷覆銅板在電流承載能力、散熱能力、力學(xué)性能、可靠性等方面均具有明顯優(yōu)勢。氮化硅陶瓷在熱導(dǎo)率方面不及氮化鋁陶瓷基板，因此在提升導(dǎo)熱方面成為關(guān)注的重點了。高導(dǎo)熱陶瓷應(yīng)具備以下條件：(1)平均原子量小;(2)原子鍵合強(qiáng)度高;(3)晶體結(jié)構(gòu)較為簡單;(4)晶格非諧性振動低。提高氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的方法包括：(

2020-11-07 http://www.kndpm.com/Article/guoneizuodanhuaguita.html
[常見問題]AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板

amb是活性金屬釬焊技術(shù)，陶瓷電路板采用AMB工藝制作后具有更高的熱導(dǎo)率、銅層結(jié)合強(qiáng)度高等特點，而且其熱膨脹系數(shù)與硅接近，可應(yīng)用于高電壓操作且沒有局部放電現(xiàn)象。目前采用amb陶瓷制作工藝的是氮化鋁陶瓷和氮化硅陶瓷，經(jīng)過加工制作線路和打孔后分別稱為AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板。

2020-11-07 http://www.kndpm.com/Article/AMBdanhualvtaocidian.html
[常見問題]什么是金屬陶瓷基板，金屬陶瓷基板哪家好?

什么是金屬陶瓷基板？金屬陶瓷基板是通過技術(shù)手段在陶瓷基板光板上面做金屬化后的陶瓷板成為金屬陶瓷基板，金屬陶瓷基板有覆銅陶瓷基板，還有可以鍍鈦、鎳等。陶瓷基板金屬化后具備更好的電氣性能，導(dǎo)熱性和絕緣性。金屬陶瓷基板在光通信的應(yīng)用金屬陶瓷基板在光通信的應(yīng)用主要通過金屬陶瓷薄膜的制備技術(shù),金屬陶瓷薄膜結(jié)構(gòu)的分析方法,金屬陶瓷薄膜的理論基礎(chǔ),金屬陶瓷薄膜的光,電,磁特性,如表面等離子激元共振吸收特性,光學(xué)雙穩(wěn)特性,巨電導(dǎo)效應(yīng),巨磁阻特應(yīng),巨霍爾效應(yīng),以及這些特性在光電子技術(shù)中的應(yīng)用。光通信技術(shù)，涉及到大電流的應(yīng)用，采用金屬陶瓷基板具有良好的導(dǎo)熱和絕緣電器性能。覆銅陶瓷基板同屬于金屬陶瓷基板覆銅陶瓷基板是金屬陶瓷基板的一種，就是陶瓷基板表面做金屬層，陶瓷陶瓷基板分氧化鋁陶瓷覆銅基板和氮化鋁陶瓷覆銅基板；制作工藝有D

2020-10-20 http://www.kndpm.com/Article/shimeshijinshutaocij.html
[常見問題]COB陶瓷基板為何比鋁基板性能更好？

在led領(lǐng)域，越來越多的企業(yè)采用陶瓷COB基板替代鋁基板COB，主要鋁基板的散熱性能達(dá)到需要。今天小編來分析一下陶瓷基板COB和鋁基板COB的特點以及陶瓷COB更適合市場需要的原因。

2020-08-20 http://www.kndpm.com/Article/taociCOByoushenglvji.html

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[常見問題]氮化鋁陶瓷直接覆銅基板結(jié)合強(qiáng)度受銅片氧化層厚度而變化

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