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搜索結果

[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板加工技術的瓶頸

氮化鋁陶瓷具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。根據360 research reports數據預測，到2026年，全球AlN陶瓷基板市場規(guī)模預計將從2020年的6100萬美元達到1.073億美元，2021-2026年的復合年增長率為9.8%，應用市場前景廣闊。

2024-03-21 http://www.kndpm.com/Article/danhualv.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板應用介紹

在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經成為SiC芯片最佳封裝材料。根據市場研究機構的數據顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復合增長率為5.5%左右。

2024-01-12 http://www.kndpm.com/Article/AMBtaocijibanyingyon.html
[行業(yè)動態(tài)]6種常見的陶瓷與金屬的連接方法，誰能稱霸半導體封裝市場？

陶瓷與金屬封接，最大難點是陶瓷和金屬的熱膨脹系數相差較大，使得連接完成后的封接界面處會產生較大殘余應力，這不僅會降低接頭強度，也會影響金屬對陶瓷表面的潤濕效果。

2024-01-10 http://www.kndpm.com/Article/6zhongchangjiandetao.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板加工技術的瓶頸：超精密加工技術

氮化鋁陶瓷具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。根據360 research reports數據預測，到2026年，全球AlN陶瓷基板市場規(guī)模預計將從2020年的6100萬美元達到1.073億美元，2021-2026年的復合年增長率為9.8%，應用市場前景廣闊。

2023-12-13 http://www.kndpm.com/Article/danhualvtaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導率、更好的銅層結合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://www.kndpm.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板—半導體制冷的關鍵部件

半導體制冷即上表中的熱電制冷技術（TEC），是一種基于帕爾帖效應原理的制冷技術，即利用當電流通過兩種特定材料時會吸收和放出熱量的原理進行制冷。因其主要部件多為熱電能量轉換效率高的半導體材料，所以又被稱為半導體制冷（該名字并非是因為它適用于半導體芯片散熱，而是因為該技術需采用半導體材料完成能量轉換而散熱）。

2023-11-24 http://www.kndpm.com/Article/taocijibanbandaotizh.html
[常見問題]影響氮化鋁陶瓷基板的熱導率的因素有哪些？

AlN是一種結構穩(wěn)定且具有六方纖鋅礦結構，無其他同質異型物存在的共價鍵型化合物。它的晶體結構是由鋁原子和臨近的氮原子歧變產生的AlN4四面體為結構單元；空間群為P63mc，屬于六方晶系。

2023-11-20 http://www.kndpm.com/Article/yingxiangdanhualvtao.html
[行業(yè)動態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢，陶瓷基板制造五大工藝知識，以及工藝特點進行分析，行業(yè)展望，最后我們學習一下華科大對陶瓷基板科研知識案例分享

2023-11-06 http://www.kndpm.com/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應用發(fā)展

目前，國內常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結成型之后，需對其表面實施金屬化，然后通過影像轉移的方法完成表面圖形的制作，以實現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://www.kndpm.com/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術瓶頸。

2023-10-06 http://www.kndpm.com/Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動態(tài)]電子封裝陶瓷基片材料的種類

現(xiàn)代微電子技術發(fā)展異常迅速，電子系統(tǒng)及設備向大規(guī)模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。電子系統(tǒng)集成度的提高將導致功率密度升高，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產生的熱量增加，因此，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。電子封裝基片材料作為一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯(lián)線提供機械承載支撐、氣密性保護和促進電氣設備的散熱。

2023-10-04 http://www.kndpm.com/Article/taocijipiandezhonglei.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.kndpm.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經成為SiC芯片最佳封裝材料。根據市場研究機構的數據顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://www.kndpm.com/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板的金屬化工藝

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的電性能和熱性能，被認為是最具有前途的高熱導陶瓷基片材料。為了封裝結構的密封，元器件搭載及輸入、輸出端子的連接等目的，氮化鋁陶瓷基板表面及內部均需要金屬化。

2023-07-20 http://www.kndpm.com/Article/danhulvtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

隨著電子封裝技術逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術瓶頸。

2023-07-10 http://www.kndpm.com/Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板制備方法

陶瓷金屬化技術起源于20世紀初期的德國，1935年德國西門子公司Vatter第一次采用陶瓷金屬化技術并將產品成功實際應用到真空電子器件中，1956年Mo-Mn法誕生，此法廣泛適用于電子工業(yè)中的氧化鋁陶瓷與金屬連接。對于今天，大功率器件逐漸發(fā)展，陶瓷基板又因其優(yōu)良的性能成為當今電子器件基板及封裝材料的主流，因此，實現(xiàn)陶瓷與金屬之間的可靠連接是推進陶瓷材料應用的關鍵。

2023-06-21 http://www.kndpm.com/Article/taocijibanzhibeifang.html
[行業(yè)動態(tài)]常用的八大陶瓷基板材料導熱率排行榜

導熱率，也稱為熱導率，是描述物質傳遞熱量能力的物理量。它表示單位時間內，單位面積上的熱量傳遞量與溫度梯度之比。導熱率越大，物質對熱量的傳遞能力越強。在熱傳導過程中，導熱率是一個非常重要的參數，決定了物質的熱傳導速度。在工程和科學研究中，導熱率通常用來評估材料的熱性能，以便進行材料的選擇和設計。

2023-06-19 http://www.kndpm.com/Article/changyongdebadataoci.html
[行業(yè)動態(tài)]常見陶瓷基板PCB板介紹

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料。

2023-06-16 http://www.kndpm.com/Article/changjiantaocijibanP.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷基板國產化突破，下游多點開花成長空間廣闊

熱是影響大功率半導體器件可靠性的關鍵因素，根據化合積電，電子元器件 55%故障率來自熱失效，電子元器件溫度每升高 2 度，可靠性下降 10%。電子元器件器件熱管理包括封裝和系統(tǒng)性能兩個部分。從封裝角度出發(fā)，器件散熱主要依靠熱傳導方式，熱量沿著芯片-鍵合層-基板-散熱器傳導，最后通過對流耗散到空氣中。封裝基板作為大功率半導體器件重要的散熱通道，其選擇和結構設計對性能至關重要。

2023-06-09 http://www.kndpm.com/Article/DPCtaocijibanguochan.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網和風能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領域功率模塊封裝的不可或缺的關鍵基礎材料。

2023-04-17 http://www.kndpm.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html

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[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板的金屬化工藝

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