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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點(diǎn)高等優(yōu)點(diǎn)。在電子線路的設(shè)計(jì)和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導(dǎo)熱通路以及用來(lái)制造各種電子元件，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-28 http://www.kndpm.com/Article/taocijibandexianzhua.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化

氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板機(jī)械性能非常好，硬度強(qiáng)，耐磨損，導(dǎo)熱系數(shù)在85w~90w，在一些需要較強(qiáng)硬度和導(dǎo)熱性的產(chǎn)品領(lǐng)域被備受歡迎。比如汽車減振器的載板、交通軌道，IGTB載板、第三代半導(dǎo)體等。既能作為載板起到散熱很支持的作用，又能實(shí)現(xiàn)線路層互連，起到良好的電氣性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金屬化工藝。一，什么是氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板金屬化，是在陶瓷基表面覆銅、或者做其他金屬。目前最常見的就是覆銅。氮化硅陶瓷基板金屬化后，通過線路、金屬孔等可以實(shí)現(xiàn)層級(jí)互連作用。二，氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)-AMB工藝氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)多采用AMB工藝，AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤(rùn)濕并反

2022-10-18 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijibanj.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.kndpm.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導(dǎo)體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導(dǎo)體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來(lái)分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢(shì)能被第三代半導(dǎo)體選擇和應(yīng)用。一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導(dǎo)率高、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年來(lái)，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對(duì)器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[常見問題]先進(jìn)陶瓷在新能源電動(dòng)汽車上的應(yīng)用舉例

先進(jìn)陶瓷在新能源電動(dòng)汽車上的應(yīng)用舉例長(zhǎng)時(shí)間的疫情反復(fù)、俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)帶來(lái)的地緣政治危機(jī)、全球貨幣放水、能源需求增長(zhǎng)、國(guó)際石油生產(chǎn)組織成員國(guó)的限產(chǎn)措施推行等一系列原因造就了如今使得老百姓對(duì)當(dāng)今油價(jià)望而卻步。面對(duì)仿佛轉(zhuǎn)眼就能突破十元大關(guān)的油價(jià)，曾經(jīng)多數(shù)對(duì)新能源汽車持懷疑態(tài)度的用戶也不得不承認(rèn)，現(xiàn)如今的油價(jià)讓新能源汽車的優(yōu)勢(shì)較油車性價(jià)比提升了不少。那先進(jìn)陶瓷在電動(dòng)汽車上如何應(yīng)用的呢？可被應(yīng)用于新能源汽車的先進(jìn)陶瓷舉例：（1）新能源汽車用陶瓷球：新能源汽車中，陶瓷軸承的應(yīng)用成為一種趨勢(shì)。新能源汽車對(duì)汽車軸承提出了更多新要求，首先電機(jī)軸承相比傳統(tǒng)軸承轉(zhuǎn)速高，需要密度更低、相對(duì)更耐磨的材料；同時(shí)由于電機(jī)的交變電流引起周圍電磁場(chǎng)變化，需要更好的絕緣性減小軸承放電產(chǎn)生的電腐蝕；

2022-06-25 http://www.kndpm.com/Article/xianjintaocizaixinne.html
[常見問題]dpc覆銅陶瓷基板和amb活性金屬釬焊載板的區(qū)別

dpc覆銅陶瓷基板和amb活性金屬釬焊載板的區(qū)別amb活性金屬釬焊載板通常是采用氮化鋁陶瓷基或者氮化硅陶瓷基、碳化硅陶瓷基等材料，通過amb活性金屬釬焊工藝在基材表面附上一層銅箔或者其他金屬，使得其具備良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能。dpc覆銅陶瓷基板則采用是DPC工藝，今天小編就來(lái)分享一下dpc覆銅陶瓷基板和amb活性金屬釬焊載板的區(qū)別。一，dpc覆銅陶瓷基板和amb金屬基板工藝特點(diǎn)不同 dpc覆銅陶瓷基板材料通常是氧化鋁陶瓷基、氮化鋁陶瓷基制作，表面金屬一般較薄，通常是35um，不超過100um，比較適合做精密線路；amb金屬基板采用氮化鋁陶瓷基或者氮化硅陶瓷基板來(lái)做，銅層可以做100um~800um,金屬結(jié)合力強(qiáng)、熱導(dǎo)率高，尤其是amb氮化硅陶瓷覆銅基板，具

2022-01-19 http://www.kndpm.com/Article/dpcfutongtaocijibanh.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB陶瓷覆銅基板行業(yè)前景

AMB活性金屬釬焊載板與傳統(tǒng)的DCB覆銅陶瓷基板相比，具有更高的可靠性、更強(qiáng)的力學(xué)性能、更好的絕緣性能，與芯片良好匹配的熱膨脹系數(shù)。已成為第三代半導(dǎo)體和新型高壓大功率電力電子器件的首選封裝材料，有廣闊的應(yīng)用前景。金瑞欣小編主要講述AMB陶瓷覆銅基板行業(yè)前景和發(fā)展趨勢(shì)。

2022-01-07 http://www.kndpm.com/Article/AMBtaocifutongjibanx.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模塊封裝核心需求

大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體封裝基板是用DBC基板好呢還是用AMB基板好，AMB基板具有更好導(dǎo)熱性能的同時(shí)，熱循環(huán)非常好，熱阻小，可以成載更大電流和電壓等。未來(lái)amb陶瓷基板將成為大功率IGTB和第三代半導(dǎo)體模塊封裝基板的“香餑餑”。

2022-01-06 http://www.kndpm.com/Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常見問題]AMB陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度怎么樣

AMB陶瓷覆銅基板經(jīng)過活性釬焊工藝制作，銅層的附著力也叫結(jié)合力通常是用剝離強(qiáng)度來(lái)體現(xiàn)的。那么AMB陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度是不是要比DBC陶瓷覆銅基板的要強(qiáng)，我們通過測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)看看AMB陶瓷覆銅基板的剝離強(qiáng)度數(shù)據(jù)。

2022-01-05 http://www.kndpm.com/Article/AMBtaocifutongjibanb.html
[常見問題]衡量AMB陶瓷基板可靠性測(cè)試-熱循環(huán)次數(shù)

Amb陶瓷基板熱循環(huán)性好、導(dǎo)熱率高、金屬層與陶瓷的結(jié)合力更強(qiáng)，和DBC陶瓷基板相比具備更好的結(jié)合力，尤其是熱循環(huán)性能。陶瓷覆銅板的可靠性，可以表現(xiàn)為耐機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的能力，通常用熱循環(huán)或熱沖擊測(cè)試來(lái)表征。今天小編就來(lái)分享一下AMB陶瓷基板的熱循環(huán)是怎么樣的，我們通過測(cè)熱循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)可以得出結(jié)論。

2022-01-04 http://www.kndpm.com/Article/hengliangAMBtaocijib.html
[常見問題]AMB陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)、可靠性及其應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板性能提升起到了很大的促進(jìn)作用。陶瓷基板也是陶瓷電路板在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用主要是緣于陶瓷基板具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點(diǎn)。陶瓷基板工藝有很多種，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，還有目前備受關(guān)注的AMB（Active Metal Bonding）技術(shù)，即活性金屬釬焊技術(shù)。一，什么是活性金屬釬焊技術(shù)？AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤(rùn)濕并反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板，一般是這樣制作的：首先通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http://www.kndpm.com/Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板的覆銅工藝--AMB

AMB氮化硅陶瓷覆銅基板表面都是有一層銅的，同時(shí)讓氮化硅陶瓷基板有了更好的電氣性能。氮化硅陶瓷基板具有更好的可靠性和穩(wěn)定性，那么氮化硅陶瓷覆銅基板是采用AMB覆銅工藝具體是怎么制作的呢？有什么優(yōu)勢(shì)？1，氮化硅陶瓷覆銅基板制作工藝AMB具備哪些優(yōu)勢(shì)?氮化硅陶瓷覆銅AMB制作工藝的陶瓷基板又稱為AMB氮化硅陶瓷基板，目前采用AMB工藝的是氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，采用AMB工藝即為活性釬焊技術(shù)。活性金屬釬焊（Active Metal Bonding，AMB）覆銅技術(shù)，顧名思義，依靠活性金屬釬料實(shí)現(xiàn)氮化鋁與無(wú)氧銅的高溫冶金結(jié)合，以結(jié)合強(qiáng)度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注，應(yīng)用前景極為廣闊。

2020-12-19 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常見問題]氮化硅陶瓷覆銅基板的可靠性決定了它的市場(chǎng)定位

氮化硅具有高熱導(dǎo)率,低熱阻,高抗彎強(qiáng)度,高斷裂韌性,耐高溫,耐磨損,耐腐蝕等一系列優(yōu)異的物理特性,因此,其正逐漸成為寬禁帶大功率半導(dǎo)體器件首選的基板材料.氮化硅陶瓷覆銅基板優(yōu)異的高可靠性使其成為高鐵,電動(dòng)汽車等領(lǐng)域功率模塊最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆銅陶瓷基板的可靠性和市場(chǎng)地位。 1，氮化硅陶瓷覆銅基板的制作工藝高性能氮化硅陶瓷粉體的特性對(duì)氮化硅陶瓷覆銅基板的成型，燒結(jié)以及最終的性能有很大的影響作用。目前氮化硅陶瓷覆銅基板只有日本廠商具備量產(chǎn)能力,國(guó)內(nèi)進(jìn)口困難,阻礙了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展.采用氣壓燒結(jié)實(shí)現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷基板的制備,并通過活性金屬釬焊工藝獲得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocifutong.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板的新的需求和新增應(yīng)用領(lǐng)域

氮化硅陶瓷基板的市場(chǎng)應(yīng)用增加，氮化硅陶瓷基板在市場(chǎng)的需求應(yīng)用在半導(dǎo)體尤其是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，以及航天航空等方面應(yīng)用增加，使得氮化硅陶瓷基板用途也越來(lái)越多，今天小編主要講述一下氮化硅陶

2020-12-14 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、分類和應(yīng)用

氮化硅陶瓷基板隨著軌道交通以及第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，氮化硅陶瓷基板的市場(chǎng)也逐漸在增加，那么氮化硅陶瓷基板的特點(diǎn)有哪些？有什么分類，主要作用以及市場(chǎng)應(yīng)用情況是怎么樣的呢？今天小編為您娓娓道來(lái)：

2020-12-12 http://www.kndpm.com/Article/danhuaguitaocijibantd.html
[常見問題]國(guó)內(nèi)做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家

氮化硅陶瓷覆銅基板是在氮化硅陶瓷基片的基材上通過技術(shù)手段把銅箔覆蓋到表面，實(shí)現(xiàn)金屬化后讓氮化硅陶瓷基板具備更好的導(dǎo)熱性能和電器性能。那么國(guó)內(nèi)做的氮化硅的陶瓷基板覆銅的廠家有哪些呢？什么樣的廠家生產(chǎn)的氮化硅陶瓷基板更好？氮化硅陶瓷基板的特性氮化硅陶瓷具有2.4倍于氧化鋁和氮化鋁的抗彎強(qiáng)度，因此具有比氮化鋁和氧化鋁高的多的可靠性，尤其是高強(qiáng)度可以實(shí)現(xiàn)其與厚銅基板的覆接，大幅提高基板的熱性能。相對(duì)于氮化鋁和氧化鋁，氮化硅陶瓷覆銅板在電流承載能力、散熱能力、力學(xué)性能、可靠性等方面均具有明顯優(yōu)勢(shì)。氮化硅陶瓷在熱導(dǎo)率方面不及氮化鋁陶瓷基板，因此在提升導(dǎo)熱方面成為關(guān)注的重點(diǎn)了。高導(dǎo)熱陶瓷應(yīng)具備以下條件：(1)平均原子量小;(2)原子鍵合強(qiáng)度高;(3)晶體結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單;(4)晶格非諧性振動(dòng)低。提高氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的方法包括：(

2020-11-07 http://www.kndpm.com/Article/guoneizuodanhuaguita.html
[常見問題]三大特種陶瓷覆銅板導(dǎo)熱及應(yīng)用

在軍用功率器件和民用電力電子器件封裝領(lǐng)域，需要能載大電流的器件。銅箔具有極高的載流能力和散熱能力，適合用作大功率器件封裝基板的導(dǎo)體。而特種陶瓷由于耐高壓能力強(qiáng)，被用作封裝基板的載體。氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷是三大重要的陶瓷基板。

2020-04-30 http://www.kndpm.com/Article/sandatezhongtaocifut.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的深度研究

電動(dòng)汽車、電力機(jī)車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域需要實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子器件。氮化鋁陶瓷覆銅板既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度、低膨脹等特性，又具有無(wú)氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。本文采用直接覆銅工藝(DBC)和活性金屬焊接工藝(AMB)制備了氮化鋁陶瓷覆銅板，對(duì)比了兩種工藝的異同點(diǎn)和制備的氮化鋁陶瓷覆銅板的性能差異，并指出氮化硅陶瓷覆銅板有望在下一代功率模塊上廣泛應(yīng)用。

2020-01-14 http://www.kndpm.com/Article/danhualvtaocijibanzd.html
[常見問題]為何氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊領(lǐng)域應(yīng)用廣泛

IGBT就是絕緣柵雙極晶體管，目前大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電力機(jī)車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷覆銅板既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度、低膨脹等特性，又具有無(wú)氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。今天小編就重點(diǎn)講述一下氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的重要應(yīng)用。

2019-12-19 http://www.kndpm.com/Article/weihedanhualvtaociji.html