多種基板對比--氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出

功率型LED封裝技術(shù)發(fā)展至今，可供選用的散熱基板包括環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅基板等。那么今天小編就來對比一下哪種基板在LED散熱中勝出，更受歡迎。

LED封裝不斷向著高效率、高密度、大功率方向發(fā)展，對基板的散熱能力、載流能力、絕緣性能提出了更高的要求。以下分享一下環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅基板的優(yōu)劣看看哪種更適合LED功率器件。

1，環(huán)氧樹脂覆銅基板

環(huán)氧樹脂覆銅基板是傳統(tǒng)電子封裝中應用最廣泛的基板。它起到支撐、導電和絕緣三個作用。其主要特性有：成本低、較高的耐吸濕性、密度低、易加工、易實現(xiàn)微細圖形電路、適合大規(guī)模生產(chǎn)等。但由于FR－4的基底材料是環(huán)氧樹脂，有機材料的熱導率低，耐高溫性差，因此FR－4不能適應高密度、高功率LED封裝要求，一般只用于小功率LED封裝中。

       2，金屬基覆銅基板

金屬基覆銅基板是繼FR－4后出現(xiàn)的一種新型基板。它是將銅箔電路及高分子絕緣層通過導熱粘結(jié)材料與具有高熱導系數(shù)的金屬、底座直接粘結(jié)制得，其熱導率約為1．12 W／m·K，相比FR－4有較大的提高。由于具有優(yōu)異的散熱性，它已成為目前大功率LED散熱基板市場上應用最廣泛的產(chǎn)品。但也有其固有的缺點：高分子絕緣層的熱導率較低，只有0．3 W／m·K，導致熱量不能很好地從芯片直接傳到金屬底座上；金屬Cu、Al的熱膨脹系數(shù)較大，可能造成比較嚴重的熱失配問題。

3，金屬復合基板

金屬基復合基板最具代表性的材料是鋁碳化硅。鋁碳化硅是將SiC陶瓷的低膨脹系數(shù)和金屬Al的高導熱率結(jié)合在一起的金屬基復合材料，它綜合了兩種材料的優(yōu)點，具有低密度、低熱膨脹系數(shù)、高熱導率、高剛度等一系列優(yōu)異特性。AlSiC的熱膨脹系數(shù)可以通過改變SiC的含量來加以調(diào)試，使其與相鄰材料的熱膨脹系數(shù)相匹配，從而將兩者的熱應力減至最小。

4，陶瓷覆銅基板

       陶瓷基板材料常見的主要有Al2O3、氮化鋁、SiC、BN、BeO、Si3N4等，與其他基板材料相比，陶瓷基板在機械性質(zhì)、電學性質(zhì)、熱學性質(zhì)具有以下特點：

（1）機械性能。機械強度，能用作為支持構(gòu)件；加工性好，尺寸精度高；表面光滑，無微裂紋、彎曲等。

（2）熱學性質(zhì)。導熱系數(shù)大，熱膨脹系數(shù)與Si和GaAs等芯片材料相匹配，耐熱性能良好。

（3）電學性質(zhì)。介電常數(shù)低，介電損耗小，絕緣電阻及絕緣破壞電高，在高溫、高濕度條件下性能穩(wěn)定，可靠性高。

（4）其他性質(zhì)?；瘜W穩(wěn)定性好，無吸濕性；耐油、耐化學藥品；無毒、無公害、α射線放出量小；晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，在使用溫度范圍內(nèi)不易發(fā)生變化；原材料資源豐富。

長期以來，Al2O3和BeO陶瓷是大功率封裝兩種主要基板材料。但這兩種基板材料都固有缺點，Al2O3的熱導率低，熱膨脹系數(shù)與芯片材料不匹配；BeO雖然具有優(yōu)良的綜合性能，但生產(chǎn)成本較高和有劇毒。因此，從性能、成本和環(huán)保等方面考慮，這兩種基板材料均不能作為今后大功率LED器件發(fā)展最理想材料。氮化鋁陶瓷基板具有高熱導率、高強度、高電阻率、密度小、低介電常數(shù)、無毒、以及與Si相匹配的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能，將逐步取代傳統(tǒng)大功率LED基板材料，成為今后最具發(fā)展前途的一種陶瓷基板材料。

大功率LED陶瓷基板不斷向前發(fā)展，隨著材料的更新和換代，市場需求的車輪不斷向前，作為陶瓷覆銅基板、陶瓷電路板廠家，需要不斷跟上科技發(fā)展的腳步，不斷的實現(xiàn)科技創(chuàng)新，為客戶提供更加高品質(zhì)的產(chǎn)品。更多氮化鋁陶瓷基板相關可以咨詢金瑞欣特種電路。